场效应管缓冲区偏差计算器

场效应管（简写为FET）主要有结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。场效应管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。场效应管是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件。

N-Channel JFET Buffer

N沟道场效应管缓冲区偏差
VDD	(V)
Desired V_RS	(V)
V_p or V_GS(off) (Pinch off Voltage, negative)截止电压	(V)
I_DSS(Zero Gate Voltage Drain Current) 零栅电压漏极电流	(mA)
结果：

I_DS	(mA)
R _S	(Ω)
V_GS	(V)

Equations:

I_DS= I_DSS(1-V_GS/Vp)²

RS= V_RS/I_DS

VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压,用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。